LGM400HF65S4T1A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: LGM400HF65S4T1A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1154
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 400(70C)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.8(typ)
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 350
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 4200
Тип корпуса: MODULE